最近，日本东京大学研制出了一种有机闪存（Organic Flash Memory），这种由有机材料组成的非挥发性内存有机闪存，可以弯曲，基本结构与现有闪存相同；擦除电压仅为6V、读取电压仅为1V的特点；能够耐受1000次以上的写入/ 擦除。不过，目前该闪存数据保存时间仅为1天，还不能商用。但随着其数据保存时间的延长，该闪存将更适用于大面积传感器和电子纸等用途。

该闪存以PEN（polyethylene naphthalate）树脂为底板，其上陈列布置了26×26个2T型内存单元柔性薄片；薄片的曲率半径6mm。该内存被称为有机闪存是因为使用了与Si闪存相同的“浮栅结构”晶体管(floating-gate transistors)。具体来说，PEN底板上由铝控制栅电极、绝缘膜、铝浮栅、绝缘膜、有机半导体并五苯(organic semiconductor pentacene)和金电极和栅电极组成。绝缘膜使用由AlO_x和拥有烷基链（CH2-CH2-CH2-…）的一种磷酸组成的“自组装单分子膜（SAM）” 制成。SAM非常薄，仅厚2nm。

内存阵列的放大图。白色的是控制栅，3条电极横跨的浅蓝色部位为并五苯（pentacene）。

内存阵列的放大图。白色的是控制栅，3条电极横跨的浅蓝色部位为并五苯（pentacene）。

智能压力传感器片的结构。从下往上依次为有机内存片、具有压力感应性的橡胶片、电极片。

该有机闪存由东京大学大学院工学系研究科电气系工学专业教授染谷隆夫与该专业助教关谷毅组成的研究小组开发。相关论文已刊登在《科学》2009年12月11日刊中。

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