韩国三星电子（Samsung）2月1日说，该公司已成功研制出世界上首个30纳米DRAM内存芯片，容量为2兆，并计划今年下半年批量生产。这一新产品的生产率比40纳米DRAM内存芯片提高了60％，耗电量仅相当于50纳米级和40纳米级技术的70％和85％。

从40纳米级到30纳米级技术，三星电子只用了1年时间就研制成功，比从50纳米级到40纳米级所用28个月的时间大大缩短。

（引用来源：Samsung Hub）