设想在多种基片–象塑料，纸张，或织物等材料上， 建造更便宜的电子产品。台湾国立交通大学的研究人员的一项发现为此打开了大门， 此项发现使得他们能够在很多不同的基 片上建造二极管之类的电子元件。

“整流二极管是电子产品的基本组件，” 侯拓宏是这样描述这项研究。“由氧化物材料而不是传统上的硅材料所制成的二极管是特别有意思的， 因为它们可以在室温 下被制造出来，而非硅二极管通常所需的1000° C。除了复杂的材料工程之外，我们的工作为大幅度改善氧化物二极管的整流效率提出了一个新途径，这是通过在氧化物中形成纳米级电流通路而达到的。”

一个额外的收获， 侯拓宏接着说，是通过小心地控制这些纳米级通路，他们能在同一结构中制成或者是一种电阻性的非挥发性存储器，即所谓的“RRAM”， 或者是一种整流二极管。RRAM是由被夹在两个金属电极之间的一层过渡金属氧化物所组成， 它亦是很多公司目前正在积极探索的存储器中下一个“大热门”。

研究人员希望他们的后续工作将导致新一代完全用氧化物材料制成的电子电路的诞生。

这篇文章， “具有人工分子隧道壁垒的非挥发性存储器”(Nonvolatile memory with molecule-engineered tunneling barriers)， 作者侯拓宏, Hassan Raza, Kamran Afshari, Daniel J. Ruebusch, 和Edwin C. Kan ，发表在二零一零年四月十五日的应用物理快报期刊。参阅http://link.aip.org/link/APPLAB/v92/i15/p153109/s1

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引用来源：eurekalert.org