惠普和海力士(Hynix)正在忆阻器基础上开发的新内存技术。忆阻器（memristor），又名记忆电阻（memory resistors），是一种被动电子元件，是具有记忆功能的非线性电阻器。忆阻器被认为是电路的第四种基本元件，仅次于电阻器、电容器及电感元件。

忆阻器可以在关掉电源后，仍能“记忆”通过的电荷。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能，但更为细小。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件，并首先将RRAM和忆阻器联系起来。

在国际电子论坛上，惠普实验室资深研究员Stan Williams表示， 该公司计划在一年半时间内向市场推出闪存芯片（Flash）的替代芯片，以及固态硬盘（SSD）的替代存储器。他说，可能到2014年，或者到2015 年，惠普将有DRAM的竞争产品，接下的一步是去替代SRAM。他声称，新芯片的每比特交换能量比Flash改进了两个数量级。

via:solidot.org